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台积电2nm工艺将继续涨价!引入新技术 工艺实现突破

来源:互联网

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发布时间:2024-10-11 07:23:57

  根据报道,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将在生产中首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。

  此外,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相比于目前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更为令人在意的是,晶体管密度将提升15%,这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。

  报道中称,台积电在2nm工艺将继续涨价,每片晶圆超3万美元、达4/5nm两倍。

TAGS:工艺 将在 晶体管 积电

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