英特尔3D XPpoint“闪腾”闪存技术的登场打破了NAND市场平静，着实给三星带来不小压力，不过三星也不会无动于衷坐视不管，因为他们将带来杀手锏——三星Z-SSD系列。在最近的Cloud Expo欧洲展会上，三星终于带来了Z-SSD硬盘，搭载全新的Z-NAND闪存颗粒，采用特殊电路和新主控，读取速度是PM963至少1.6倍，几乎榨干GEN3 X4全部带宽，提供3.2G/S读取，而且延迟低4倍且更耐用。三星Z-SSD系列将于Q2季度登场，面向企业级用户，有800G、2TB和4TB容量可选，未公布价格。
规格方面，Z-SSD走PCI-E 3.0 x4带宽，目前展示样品容量800GB，承诺连续读写速度均可达3.2GB/s，随机读写分别可达75万IOPS和16万IOPS，延迟比NVMe硬盘低70%。除了性能，全新的Z-NAND的耐久度更长，再加上特殊的算法和缓存机制，比普通NAND高得多的耐用性，即使是TLC（3bit per cell）也远超目前产品，不过官方未公布具体细节。
三星表示：“Z-NAND可以与Intel 3D XPoint叫板，是三星拳头级产品”。Z-SSD系列会使用第四代V-NAND，采用64层堆栈V-NAND闪存，性能比NAND闪存更强，同时又有非易失性特点。至于如何实现性能的跃进未提及，当然英特尔迄今也没有公布过3D XPoint闪存原理，业内的分析PCM相变闪存等说法只是猜测，并未得到官方证实。总之，接下来会有一场激战，好不容易多年打下的市场绝对不会轻易让出去，让我们拭目以待。
