三星电子今天宣布，已经开始批量生产基于第二代HBM(HBM2)技术的业内首个4GB DRAM显存颗粒，可用于高端显卡、高性能计算(HPC)、网络系统、企业服务器等等。 三星的4GB HBM2显存采用其最高效的20nm工艺制造，结合先进的芯片设计，并且和此前的128GB DDR4内存一样使用了3D TSV立体硅穿孔技术。这颗显存封装内在底部封装了一个缓冲芯片，之上堆叠了四个8Gb(1GB)容量的HBM2 DRAM芯片，然后通过TSV孔洞和微凸块焊接垂直互联在一起．
其中，每一个8Gb HBM2芯片上就有5000多个TSV孔洞，比起8Gb DDR4多了足足36倍，从而大大提升了数据传输效率和性能。 新显存的带宽高达256GB/s，是第一代HBM的两倍，同时也是4Gb GDDR5 36GB/s的超过7倍，并且支持ECC错误校验以提升可靠性。 这样，只需两颗这样的芯片，一块显卡就能轻松拥有8GB的显存容量、512GB/s的显存带宽，完爆HBM1、GDDR5。
三星还计划今年推出8GB HBM2，容量再翻一番，一颗就能满足高端显卡需求，从而比GDDR5节省95％的电路板空间。 AMD Fiji系列显卡去年首次使用了HBM，供应商是韩国SK海力士，今年的Polaris(北极星)家族会上第二代，但具体规格不详，理论上容量和带宽也会翻番。
AMD首次使用的HBM单颗容量仅为1GB，四颗才组成4GB，依然无法完全满足顶级GPU的需要。 NVIDIA Pascal(帕斯卡)家族则会直接上HBM2，用的就是三星的方案，但最快第二季度发布的并非顶级核心与HBM2显存，这样的旗舰产品要到下半年甚至明年才会见到。 JEDEC标准协会日前也升级了HBM标准规范，最高支持到8GB容量，带宽256GB/s，并引入了TSV工艺。很显然，三星的HBM2必然符合这一规范。
