wccftech消息,三星电子官方于近日宣布,旗下采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开始量产。
新内存单颗容量16Gb(2GB),最高速度为7.2Gbps,功耗比上代降低了23%,晶圆生产率提高了20%。
三星称12nm级工艺的开发基于一种新型高K材料,可提高电池电容,使数据信号出现明显的电位差,同时在降低工作电压与降噪方面取得了新的成果。
转自网络
2023-05-20 06:02:15
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wccftech消息,三星电子官方于近日宣布,旗下采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开始量产。
新内存单颗容量16Gb(2GB),最高速度为7.2Gbps,功耗比上代降低了23%,晶圆生产率提高了20%。
三星称12nm级工艺的开发基于一种新型高K材料,可提高电池电容,使数据信号出现明显的电位差,同时在降低工作电压与降噪方面取得了新的成果。
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